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BFP 720ESD H6327产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS RF NPN 43GHZ 4.7V SOT343射频双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFP 720ESD H6327- |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bfp720esd.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432968c552012991dcedf054a7 |
产品型号 | BFP 720ESD H6327 |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 15mA,3V |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | SOT-343 |
其它名称 | BFP 720ESD H6327TR |
功率-最大值 | 100mW |
功率耗散 | 100 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Infineon Technologies |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz |
增益 | 11dB ~ 30.5dB |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
封装/箱体 | SOT-343 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | SiGe |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | Bipolar |
最大工作频率 | 43 GHz |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 4.7V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 30mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 |
类型 | RF Silicon Germanium |
系列 | BFP720 |
配置 | Single Dual Emitter |
集电极—发射极最大电压VCEO | 4.2 V |
集电极连续电流 | 30 mA |
零件号别名 | BFP720ESDH6327XTSA1 SP000785484 |
频率 | 43 GHz |
频率-跃迁 | 43GHz |