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  • 型号: BFP 720ESD H6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BFP 720ESD H6327产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS RF NPN 43GHZ 4.7V SOT343射频双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFP 720ESD H6327-

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/bfp720esd.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432968c552012991dcedf054a7

产品型号

BFP 720ESD H6327

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

160 @ 15mA,3V

产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

SOT-343

其它名称

BFP 720ESD H6327TR
BFP720ESDH6327
BFP720ESDH6327XTSA1
SP000785484

功率-最大值

100mW

功率耗散

100 mW

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz

增益

11dB ~ 30.5dB

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-82A,SOT-343

封装/箱体

SOT-343

工厂包装数量

3000

技术

SiGe

晶体管极性

NPN

晶体管类型

Bipolar

最大工作频率

43 GHz

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

4.7V

电流-集电极(Ic)(最大值)

30mA

直流集电极/BaseGainhfeMin

160

类型

RF Silicon Germanium

系列

BFP720

配置

Single Dual Emitter

集电极—发射极最大电压VCEO

4.2 V

集电极连续电流

30 mA

零件号别名

BFP720ESDH6327XTSA1 SP000785484

频率

43 GHz

频率-跃迁

43GHz

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